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      聯(lián)盟動態(tài):第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會成功舉辦

      作者:handler人氣:1029發(fā)表時間:2020-09-07 09:27

      2020年9月5日,第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在北京中國科學(xué)院半導(dǎo)體所學(xué)術(shù)會議中心成功舉辦。


      本屆會議由北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(以下簡稱“聯(lián)盟”)、中關(guān)村產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟聯(lián)合會集成電路工作專業(yè)委員會主辦,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、國宏中宇科技發(fā)展有限公司、中晟光電設(shè)備(上海)股份有限公司、山東力冠微電子裝備有限公司、深圳中科系統(tǒng)集成技術(shù)有限公司協(xié)辦。會議目的是加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體材料與裝備企業(yè)之間及裝備企業(yè)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)之間的互動交流與協(xié)同合作,推進(jìn)“材料、工藝、裝備一體化”發(fā)展,加快裝備國產(chǎn)化的需求與進(jìn)程,實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全面技術(shù)突破,緩解“卡脖子”問題。


      科技部高新技術(shù)發(fā)展司副司長雷鵬,科技部高新司材料處處長孟徽,科技部高新司材料處副調(diào)研員曹學(xué)軍,聯(lián)盟理事長吳玲,北京大學(xué)理學(xué)部副主任、聯(lián)盟副理事長沈波,中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長、聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭,中國科學(xué)院半導(dǎo)體所副所長楊富華,深圳第三代半導(dǎo)體研究院副院長張國旗,中關(guān)村順義園管委會主任張建國,北京新材料和新能源科技發(fā)展中心副主任蔡永香,中關(guān)村產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟聯(lián)合會研究部主任段恒等嘉賓及產(chǎn)業(yè)鏈專家約200余位參加了本屆大會。聯(lián)盟于坤山秘書長主持會議。


      科技部高新技術(shù)發(fā)展司副司長雷鵬在致辭中提到科學(xué)技術(shù)是第一生產(chǎn)力,創(chuàng)新是引領(lǐng)發(fā)展的第一動力。在“十四五”材料領(lǐng)域?qū)m?xiàng)總體布局中,第三代半導(dǎo)體是重要方向。未來的技術(shù)發(fā)展絕對不是單一的技術(shù)發(fā)展,而是很多技術(shù)的集成,我們要充分發(fā)揮集中力量辦大事的優(yōu)勢,組織行業(yè)聯(lián)合攻關(guān),協(xié)同創(chuàng)新。在國際形勢深刻變化的背景下,希望新材料及第三代半導(dǎo)體的同仁們能同心協(xié)辦共同奮斗,為中國從大國到強(qiáng)國的轉(zhuǎn)變貢獻(xiàn)力量。


      中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長楊富華在致辭中表示,我國第三代半導(dǎo)體核心材料和裝備與美日歐等發(fā)達(dá)國家有較大差距,高端裝備嚴(yán)重依賴進(jìn)口,希望通過此次會議,研究出切實(shí)解決辦法和各方合作機(jī)制,集全國智慧,突破核心技術(shù)真正實(shí)現(xiàn)中國制造。


      聯(lián)盟理事長吳玲在致辭中講到,第三代半導(dǎo)體是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。材料和裝備是我們短板中的短板,我們需要在各方合作的基礎(chǔ)上,合力推進(jìn)我國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈同步提高,實(shí)現(xiàn)中華民族崛起的夢想。


      隨后,11位嘉賓分別做了精彩的報告,現(xiàn)場氣氛異常熱烈。


      北京大學(xué)理學(xué)部副主任、聯(lián)盟副理事長沈波教授做了《新形勢下我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的問題和發(fā)展機(jī)遇》的報告,報告系統(tǒng)的介紹了我國第三代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀,取得的主要成就,以及研發(fā)和產(chǎn)業(yè)力量分布和發(fā)展趨勢,分析了當(dāng)前該領(lǐng)域存在的問題和與國際上的差距,對我國第三代半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展提出了一些看法和建議。


      中電科13所副所長,聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭做了《半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考》的報告,指出了我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的新形勢以及半導(dǎo)體裝備現(xiàn)狀,并進(jìn)一步針對第三代半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化從思維和具體操作層面提出建議。

      中電科電子裝備集團(tuán)有限公司高級工程師鞏小亮帶來了《SiC器件制造關(guān)鍵裝備發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進(jìn)展》的報告,介紹了碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備的發(fā)展趨勢和國產(chǎn)化進(jìn)展,在碳化硅單晶、外延、芯片等環(huán)節(jié)國產(chǎn)裝備已形成全面布局和以競爭促發(fā)展的良性局面。電科裝備經(jīng)過多年持續(xù)研發(fā),碳化硅單晶爐、高溫能離子注入機(jī)、高溫激活爐等關(guān)鍵裝備已實(shí)現(xiàn)迭代升級和初步成套應(yīng)用。


      東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)孔令沂做了《高壓碳化硅電力電子器件研發(fā)進(jìn)展及其典型裝備需求》的報告,主要介紹了碳化硅外延生產(chǎn)線中的外延設(shè)備、檢測設(shè)備、清洗設(shè)備等相關(guān)的技術(shù)更新需求,提議為后續(xù)碳化硅外延材料的廣泛應(yīng)用做好相關(guān)設(shè)備的技術(shù)更新準(zhǔn)備。


      全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院高級工程師楊霏做了《高壓碳化硅電力電子期間研發(fā)進(jìn)展及其典型裝備需求》的報告,報告結(jié)合碳化硅MOSFET最新產(chǎn)業(yè)動態(tài),分析了對于碳化硅MOSFET芯片加工、封裝測試裝備的技術(shù)需求,結(jié)合國內(nèi)設(shè)備技術(shù)水平,指出優(yōu)先發(fā)展的國產(chǎn)化設(shè)備方向。


      北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司副總裁李謙做了《第三代半導(dǎo)體器件工藝設(shè)備國產(chǎn)化探討》的報告,報告分析了5G推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來的新機(jī)遇,新挑戰(zhàn),闡述北方華創(chuàng)在襯底材料及器件工藝的國產(chǎn)化設(shè)備解決方案,同時引出思考。通過目前國內(nèi)外形勢帶來的不確定性與確定性,表達(dá)北方華創(chuàng)愿與客戶深化合作,跟進(jìn)產(chǎn)業(yè)節(jié)奏,為構(gòu)建先進(jìn),安全,高效,穩(wěn)固的國產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈貢獻(xiàn)一己之力。


      英諾賽科(珠海)科技有限公司高級工藝總監(jiān)謝文元做了《硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求》的報告,介紹了英諾賽科以IDM模式致力于第三代半導(dǎo)體氮化鎵的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,現(xiàn)已成為全球唯一能同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的公司。希望國產(chǎn)設(shè)備以性能佳價格優(yōu)勢進(jìn)入,針對第三代半導(dǎo)體提前參與共同開發(fā),共同攀登新高地。


      中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司副總裁郭世平做了《中微公司研發(fā)進(jìn)展及對國產(chǎn)裝備發(fā)展的幾點(diǎn)思考》的報告,報告中匯報了中微公司刻蝕和MOCVD設(shè)備的研發(fā)進(jìn)展及對國產(chǎn)裝備發(fā)展的一些思考。


      國宏中宇科技發(fā)展有限公司總經(jīng)理、聯(lián)盟裝備委員會副主任趙然做了《碳化硅單晶及襯底片材料制備與裝備研發(fā)的協(xié)同發(fā)展》的報告,介紹了國宏中宇科技發(fā)展有限公司在碳化硅單晶襯底片材料領(lǐng)域技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)工作過程中基于材料與裝備協(xié)同發(fā)展思路所取得的部分進(jìn)展,同時對研發(fā)過程中存在的材料與裝備不足與問題提出了具體的協(xié)同發(fā)展建議。


      中晟光電設(shè)備(上海)股份有限公司董事長陳愛華做了《產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展加快推動半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化》的報告,報告了中晟MOCVD研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進(jìn)展,產(chǎn)品聚焦深紫外、GaN半導(dǎo)體分立器件和GaAs/InP分立器件應(yīng)用。陳董事長根據(jù)中晟在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的實(shí)踐,為加快半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化進(jìn)程,解決安全和先進(jìn)性,對產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展對提出了具體的建議。


      大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部博士李春昊做了《激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用》的報告,介紹了大族激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。主要包括:SiC晶圓的改質(zhì)切割技術(shù)、SiC晶錠剝離技術(shù)、GaN激光開槽技術(shù)、SiC晶圓激光退火技術(shù)等。


      中電科13所副所長,聯(lián)盟裝備委員會共同主任唐景庭主持了以生產(chǎn)過程中關(guān)鍵裝備的國產(chǎn)化為主題的互動環(huán)節(jié)。現(xiàn)場嘉賓圍繞國內(nèi)企業(yè)近年的裝備需求、裝備企業(yè)如何開展合作;如何推進(jìn)裝備國產(chǎn)化等問題進(jìn)行了熱烈的討論。


      在大會結(jié)束后,在聯(lián)盟大會議室舉行了聯(lián)盟裝備委員會閉門會議。





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